一、晶圓處理制程  

　　晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件（如晶體管、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術最復雜且資金投入最多的過程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達數百道，而其所需加工機臺先進且昂貴，動輒數千萬一臺，其所需制造環境為為一溫度、濕度與 含塵量（Particle）均需控制的無塵室（Clean-Room），雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適 當的清洗（Cleaning）之后，接著進行氧化（Oxidation）及沈積，最后進行微影、蝕刻及離子植入等反復步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。  

二、晶圓針測制程  

　　經過Wafer Fab之制程后，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱之為晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的芯片，但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規格的產品；這些晶圓必須通過芯片允收測試，晶粒將會一一經過針測（Probe）儀器以測試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會被標上記號（Ink Dot），此程序即 稱之為晶圓針測制程（Wafer Probe）。然后晶圓將依晶粒為單位分割成一粒粒獨立的晶粒，接著晶粒將依其電氣特性分類（Sort）并分入不同的倉（Die Bank），而不合格的晶粒將于下一個制程中丟棄。

三、IC構裝制程  

　　IC構裝制程（Packaging）則是利用塑料或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（Integrated Circuit；簡稱IC），此制程的目的是為了制造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。  

四、測試制程  

　　半導體制造最后一個制程為測試，測試制程可分成初步測試與最終測試，其主要目的除了為保證顧客所要的貨無缺點外，也將依規格劃分IC的等級。在初步測試階段，包裝后的晶粒將會被置于各種環境下測試其電氣特性，例如消耗功率、速度、電壓容忍度...等。測試后的IC將會將會依其電氣特性劃分等級而置入不同的Bin中（此過程稱之為Bin Splits），最后因應顧客之需求規格，于相對應的Bin中取出部份IC做特殊的測試及燒機（Burn-In），此即為最終測試。最終測試的成品將被貼上規格卷標（Brand）并加以包裝而后交與顧客。未通過的測試的產品將被降級（Downgrading）或丟棄。